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Vishay采用 PowerPAK? 10x12 封裝的 40 V MOSFET

閱讀次數(shù):257    發(fā)布時間:2024-12-09 17:29:18

Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封裝的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 溝道功率 MOSFET,器件擁有優(yōu)異的導通電阻,能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E 的導通電阻降低了32 %,同時比采用 TO-263-7L 封裝的 40 V MOSFET 的導通電阻低 58 %。

日前發(fā)布的這款器件在 10V 電壓下的典型導通電阻低至 0.34 mΩ,最大限度減少了傳導造成的功率損耗,從而提高了效率,同時通過低至 0.21 °C/W 典型值的 RthJC 改善了熱性能。SiJK140E 允許設(shè)計人員使用一個器件(而不用并聯(lián)兩個器件)實現(xiàn)相同的低導通電阻,從而提高了可靠性,并延長了平均故障間隔時間(MTBF)。

MOSFET 采用無線鍵合(BWL)設(shè)計,最大限度減少了寄生電感,同時最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合(BW)封裝的 TO-263-7L 解決方案電流限于 200 A,而 SiJK140E 可提供高達 795A 的連續(xù)漏極電流,以提高功率密度,同時提供強大的 SOA 功能。與 TO-263-7L 相比,器件的 PowerPAK® 10x12 封裝占位面積為 120 mm2,可節(jié)省 27 % 的 PCB 空間,同時厚度減小 50%。

SiJK140E 非常適合同步整流、熱插拔和 OR-ing 功能。典型應用包括電機驅(qū)動控制、電動工具、焊接設(shè)備、等離子切割機、電池管理系統(tǒng)、機器人和 3D 打印機。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通,標準級 FET 提供了 2.4Vgs 的高閾值電壓。MOSFET 符合 RoHS 標準且無鹵素,經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試。


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