Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封裝的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 溝道功率 MOSFET，器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E 的導通電阻降低了32 %，同時比采用 TO-263-7L 封裝的 40 V MOSFET 的導通電阻低 58 %。

日前發(fā)布的這款器件在 10V 電壓下的典型導通電阻低至 0.34 mΩ，最大限度減少了傳導造成的功率損耗，從而提高了效率，同時通過低至 0.21 °C/W 典型值的 RthJC 改善了熱性能。SiJK140E 允許設(shè)計人員使用一個器件（而不用并聯(lián)兩個器件）實現(xiàn)相同的低導通電阻，從而提高了可靠性，并延長了平均故障間隔時間（MTBF）。

MOSFET 采用無線鍵合（BWL）設(shè)計，最大限度減少了寄生電感，同時最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合（BW）封裝的 TO-263-7L 解決方案電流限于 200 A，而 SiJK140E 可提供高達 795A 的連續(xù)漏極電流，以提高功率密度，同時提供強大的 SOA 功能。與 TO-263-7L 相比，器件的 PowerPAK® 10x12 封裝占位面積為 120 mm2，可節(jié)省 27 % 的 PCB 空間，同時厚度減小 50%。

SiJK140E 非常適合同步整流、熱插拔和 OR-ing 功能。典型應用包括電機驅(qū)動控制、電動工具、焊接設(shè)備、等離子切割機、電池管理系統(tǒng)、機器人和 3D 打印機。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通，標準級 FET 提供了 2.4Vgs 的高閾值電壓。MOSFET 符合 RoHS 標準且無鹵素，經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試。