OIT15C-NR 包含在硅光電晶體管的單片陣列中。光電晶體管在背面基板上有一個公共集電極，該集電極連接到單個焊盤，每個發(fā)射器都可以訪問特定的焊盤。陣列的光學(xué)間距為 0.45 mm，LCC 封裝電氣間距為 1.10 mm。每個元件的有效面積為 0.25 x 0.50 mm²。

該產(chǎn)品的優(yōu)點是硅傳感器的高度均勻性，由于單片結(jié)構(gòu)和受控的微電子過程，信號的高穩(wěn)定性和高光學(xué)響應(yīng)性，由于沉積在光電晶體管區(qū)域上的抗反射涂層。

該設(shè)備采用薄塑料薄膜保護，可抵抗回流爐工藝。一旦將設(shè)備組裝到電子板上，就須去除薄膜，用戶可以安裝光學(xué)標(biāo)線片。尺寸減小，以優(yōu)化成本和編碼器空間。兩個參考標(biāo)記可用于準(zhǔn)確的標(biāo)線定位。

• 耐焊接工藝，MSL2
• 硅電池的高均勻性
• 更小的光學(xué)間距，更寬的有效區(qū)域
• 高增益
• 非常小的尺寸
• 準(zhǔn)確安裝的參考點
• 提供分劃板組裝服務(wù)

工作溫度范圍：-40 100 °C

儲存溫度：-40 100 °C

引線溫度（焊錫）3s：230 °C

集電極-發(fā)射極擊穿電壓@T_A=25°C I_B=100nA I_C=1mA：50 V

功耗，T_A=25°C 時：150 mW

靜電放電敏感性：3級

暗電流 V_R=10V：典型5nA，max.100 nA

響應(yīng)度：0.5 A/W

峰值響應(yīng)度 V_CE=5V：750 nm

光譜帶寬@50% V_CE=5V：500…950 nm

發(fā)射極-集電極電流 V_CE=7.7V：0.025…100 μA

集電極-發(fā)射極電流 V_CE=52V：0.025…100 μA

增益 V_CC=5V I_C=2mA：典型500，min.1100，max.500

飽和電壓 I_E=2mA IB=20μA：80…200 mV

通態(tài)集電極電流 V_CE=5V E_E=1.0mW/cm²：1 mA

上升時間V_CC=5V I_C=1mA R₁=1kΩ：10 μs

下降時間 V_CC=5V I_C=1mA R₁=1kΩ：10 μs

光電晶體管有效面積：0.125 mm²

有效區(qū)域長度：0.25 mm

有效區(qū)域?qū)挾龋?.50 mm

光學(xué)編碼器

增量編碼器

光接收器

控制/驅(qū)動

光傳感器