Marana-X 是 Andor 為直接 EUV 和軟 X 射線應(yīng)用量身定制的開創(chuàng)性 sCMOS 平臺。手工打造，提供好的性能和多功能性 Marana-X 在不到 50 毫秒的時間內(nèi)讀取 4.2 兆像素高分辨率陣列，同時保持低的讀取噪聲；比類似分辨率的 CCD 探測器快數(shù)百倍。

與現(xiàn)有的 CCD 相比，新型 Marana-X sCMOS 在 EUV-1 keV 能量范圍內(nèi)具有更高的量子效率。 Marana-X 、的量子效率與其CMOS 技術(shù)相得益彰，可通過 74 fps 全幀快速實現(xiàn)實驗時間的更小化和更大的數(shù)據(jù)吞吐量。

• 高達 99% 的 QE 和低噪聲：適合光不足測量的最大信噪比。 更快地實現(xiàn)高對比度。
• 真空冷卻至 -45℃：非常微弱的信號需要更低的本底噪聲和更長的曝光時間：不要受到相機熱噪聲的限制
• 2 百萬像素：高像素分辨率，在擴展視野范圍內(nèi)保持圖像清晰度。
• 未鍍膜的背照式 sCMOS：Marana-X 采用了無涂層背照式 sCMOS 傳感器，可實現(xiàn)EUV - 軟 X 射線檢測。
• 擴展動態(tài)范圍 (EDR) 模式：在整個動態(tài)范圍內(nèi)“一次定量”，在同一圖像中捕獲高強度和低強度圖像。
• 7% 線性度：在整個信號范圍內(nèi)的定量精度。
• 標配風扇和液體冷卻：液體冷卻可實現(xiàn)更大靈敏度

傳感器類型：背照式科學 CMOS

陣列尺寸：2048 (W) x 2048 (H)

4.2 百萬像素

像素尺寸：6.5 x 6.5 μm

圖像區(qū)：13.3 毫米 x 13.3 毫米

（對角線 18.8 毫米）

讀出模式：滾動快門

像素讀出率： 310 MHz（快速高動態(tài)范圍模式，16 位）

180 MHz（低噪聲模式，12 位）

 量子效率：高達 99%

讀取噪聲 (e-) 中值：1.6 e-（快速高動態(tài)范圍模式，16 位）

1.2 電子-（低噪聲模式，12 位）

傳感器工作溫度

風冷：-25°C（max.30°C 環(huán)境溫度）

水冷/液冷：-45°C（@16°C 水）

暗電流

風冷 (@-25°C) ：0.15 e-/像素

水冷/液冷 (@ -45°C) ：0.10 e-/像素

有效區(qū)域像素井深度：

55 000 e-（快速高動態(tài)范圍模式，16 位）

1800 e-（低噪聲模式，12 位，位深度受限）

動態(tài)范圍：34 000:1（快速高動態(tài)范圍模式，16 位）

數(shù)據(jù)范圍：16 位（快速高動態(tài)范圍模式）

12 位（低噪聲模式）

線性：> 99.7%

PRNU：< 0.5% (@半光范圍)

感興趣區(qū)域 (ROI) ：用戶可定義，1 像素粒度，

Min.尺寸 9（寬）x 1（高）

預定義 ROI：1608 x 1608、1200 x 1200、1024×1024、512×512、128×128

像素合并（在 FPGA 上）：2 x 2、3 x 3、4 x 4、8 x 8（也提供用戶可定義的合并）

真空兼容性：>10 mbar

I/O

O：Fire Row 1, Fire Row n, Fire All, Fire Any, Arm

I：外部

觸發(fā)模式：內(nèi)部、外部、外部啟動、外部曝光、軟件

軟件曝光事件：開始曝光 - 結(jié)束曝光（第 1 行），開始曝光 - 結(jié)束曝光（第 n 行）

圖像時間戳精度： 25 ns

PC 接口：USB 3.0和 CoaXPress

安裝法蘭：DN100CF (ConFlat) 6” O.D.固定法蘭提供 M8 或 5/16 UNC 螺紋孔

原位射線照相

斷層掃描

光譜學

高光譜成像

HHG 源表征

EUV 投影儀

EUV 光刻