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OPTO DIODE光電二極管AXUV20A

產(chǎn)品介紹

AXUV 探測器系列可對 0.0124 至 190 nm的光子、電子或 X 射線進(jìn)行高性能測量,并可探測 100 eV 至 50 keV 的能量。裝運(yùn)時(shí)附帶臨時(shí)蓋板,以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線鍵合。 取下蓋子之前,請閱讀應(yīng)用說明 “AXUV、SXUV 和 UVG 檢測器的處理注意事項(xiàng)”。隨著時(shí)間的推移,對低能量輻射和 150 nm 以下波長的響應(yīng)能力將受到影響。

性能特點(diǎn)

圓形有效區(qū)域

電子探測的適配選擇

防護(hù)蓋板

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地:美國

光電二極管:Φ5 mm

25 ℃ 時(shí)的電子光學(xué)特性

有源面積 Φ5.5 mm:23 mm2

分流電阻 Vf = ± 10 mV:100 MΩ

反向擊穿電壓VR ,IR = 1 µA:5 至 10 V

電容C,VR = 10 伏:500 至 1500 pF

上升時(shí)間 VR = 0 V,RL = 50 Ω:2 us

熱參數(shù)

環(huán)境溫度:-10 至 40 ℃

氮?dú)饣蛘婵眨?20 至 80 ℃

引線焊接溫度:260 ℃

注意事項(xiàng):溫度超過這些參數(shù)可能會在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。

引線焊接:距離外殼 0.080 英寸,持續(xù) 10 秒

產(chǎn)品尺寸

產(chǎn)品應(yīng)用

航空航天、汽車、生物技術(shù)、食品加工、軍事/國防、工業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備制造、測試和測量


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