CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMSJ22010-650 是一款高電流、650 伏 N-通道功率 MOSFET，設(shè)計(jì)用于功率因數(shù)校正 (PFC) 和電源充電器等高電壓、快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。這款 MOSFET 集高電壓能力、低 rDS（ON）、低閾值電壓和低柵極電荷于一身。

MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

• 高電壓能力（VDS=650V）
• 低柵極電荷（Qgs=4nC），意味著MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快，能夠減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失。
• 低 rDS(ON) (0.39Ω)
• 低閾值電壓使得MOSFET在較低的柵源電壓下即可開(kāi)始導(dǎo)通，有助于降低功耗并提高響應(yīng)速度。

產(chǎn)地：美國(guó)

漏極-源極電壓：650 V

柵極-源極電壓：30 V

連續(xù)漏極電流：10 A

連續(xù)漏極電流（TC=100°C）：6.2 A

脈沖漏極電流：22 A

二極管正向電流：10 A

功率耗散：29.5 W

功率耗散（TC=100°C）：12 W

工作溫度：-55 至 +150 °C

存儲(chǔ)接面溫度：-55 至 +150 °C

功率因數(shù)校正

電視電源

不間斷電源

PD 充電器

適配器